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NXP Semiconductors
PESDxS1UB series
ESD protection diodes in SOD523 package
10 4
P pp
(W)
10 3
001aaa147
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
10 2
(2)
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
t p = 8/20 μ s exponentially decay waveform,
see Figure 1
(1) PESD3V3S1UB and PESD5V0S1UB
(2) PESD12VS1UB, PESD15VS1UB; PESD24VS1UB
Fig 3.
Peak pulse power dissipation as a function of
pulse time; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa148
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa149
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S1UB
(2) PESD5V0S1UB
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD12VS1UB
(2) PESD15VS1UB
(3) PESD24VS1UB
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS1UB_SERIES_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 August 2009
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